Proses pembuatan panel surya (2)

(5) Etsa periferal( panel surya): lapisan difusi yang terbentuk pada permukaan periferal wafer silikon selama difusi akan menyebabkan korsleting elektroda atas dan bawah baterai. Lapisan difusi periferal harus dihilangkan dengan menutupi etsa basah atau etsa kering plasma.

(6) Lepaskan sambungan PN belakang(panel surya). Metode etsa atau penggilingan basah biasanya digunakan untuk menghilangkan sambungan PN belakang.

(7) Membuat elektroda atas dan bawah(panel surya): penguapan vakum, pelapisan nikel tanpa listrik atau pencetakan pasta aluminium dan sintering digunakan. Elektroda bawah dibuat terlebih dahulu, baru kemudian elektroda atas dibuat. Pencetakan pasta aluminium adalah metode proses yang banyak digunakan.

(8) Membuat film anti pantulan(panel surya): untuk mengurangi hilangnya refleksi input, lapisan film antirefleksi harus ditutup pada permukaan wafer silikon. Bahan pembuatan film antireflection antara lain MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5, dll. Metode prosesnya dapat berupa metode pelapisan vakum, metode pelapisan ion, metode sputtering, metode pencetakan, metode PECVD atau metode penyemprotan.

(9) Sintering: chip baterai disinter pada pelat dasar nikel atau tembaga.

(10) Klasifikasi uji: klasifikasi uji sesuai dengan parameter dan spesifikasi yang ditentukan.